这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。

氧化铝和碳化硅抛光液 是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

产品类型 硅材料 抛光液 蓝宝石 抛光液 砷化镓 抛光液 铌酸锂 抛光液 锗抛光液 集成电路多次铜布线抛光液 集成电路阻挡层抛光液

应用领域 1、 光通讯领域，配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品，能达到超精细抛光效果，抛光后连接器端面没有划伤和缺陷，3D指标和反射衰减指标达到国际标准。 2、 硬盘基片的抛光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。 3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，具有抛光速率高，抛光后易清洗，表面粗糙度低，能够得到总厚偏差（TTV）极小的质量表面。 4、其他领域的应用，如不锈钢、光学玻璃等领域，抛光后能达到良好的抛光效果