单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。

单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。

为了避免此现象的发生硅片的切割厚度也从300μm左右进一步降低，争取实现低成本高线切割及减少切缝损耗，但是难度是相当的大。因此实现太阳能晶硅电池行业生产效率的提高及生产成本的降低，对于开展寸超薄硅片切割方法的开拓与创新研究是势在必行的。

本公司长期高价回收硅片，太阳能电池片、多晶电池片回收、单晶电池片回收、碎硅片回收、废硅片回收、多晶硅回收、单晶硅回收、硅片回收、裸片回收、碎电池片回收、抛光片回收、原生多晶回收、锅底料回收、头尾料回收、多晶边皮料回收、单晶边皮料回收、IC蓝膜片回收、IC小方片回收、银浆布回收、银浆回收、银擦布回收、擦银布回收、银回收等产品。